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CY62128BLL-70SXE from CRY

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CY62128BLL-70SXE

Manufacturer: CRY

128K x 8 Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY62128BLL-70SXE,CY62128BLL70SXE CRY 1 In Stock

Description and Introduction

128K x 8 Static RAM The CY62128BLL-70SXE is a 128K x 8-bit (1 Mbit) low-power CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Organization**: 128K x 8-bit  
- **Density**: 1 Mbit  
- **Supply Voltage**: 2.2V to 3.6V  
- **Access Time**: 70 ns  
- **Operating Current**: 3 mA (typical at 1 MHz)  
- **Standby Current**: 1 µA (typical)  
- **Package**: 32-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface**: Parallel  
- **Data Retention**: > 10 years at 85°C  

This SRAM is designed for low-power applications such as battery-backed memory, portable devices, and embedded systems.  

(Note: Cypress Semiconductor was acquired by Infineon Technologies, but the part retains its original Cypress branding.)

Application Scenarios & Design Considerations

128K x 8 Static RAM# CY62128BLL70SXE Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY62128BLL70SXE 128K x 8 high-performance CMOS static RAM is primarily employed in applications requiring fast, non-volatile data storage with low power consumption. Key use cases include:

-  Embedded Systems : Serves as main memory for microcontroller-based systems requiring 1MB capacity
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces and data acquisition systems
-  Cache Memory : Secondary cache in industrial control systems
-  Program Storage : Code storage in applications where execution-from-RAM is required

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- Engine control units (ECUs) for real-time data processing
- Infotainment systems for temporary media storage
- Advanced driver assistance systems (ADAS) for sensor data buffering

 Industrial Automation 
- PLCs for program and data storage
- Motor control systems for parameter storage
- HMI devices for display buffer management

 Consumer Electronics 
- Smart home controllers
- Gaming peripherals
- Portable medical devices

 Telecommunications 
- Network routers and switches for packet buffering
- Base station equipment for configuration storage

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Low Power Operation : 3.3V supply voltage with typical standby current of 2.5μA
-  High Speed : 70ns access time suitable for real-time applications
-  Wide Temperature Range : Industrial grade (-40°C to +85°C) operation
-  High Reliability : CMOS technology ensures robust performance
-  Easy Integration : Standard 8-bit parallel interface

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires battery backup or alternative storage for data retention during power loss
-  Density Constraints : 1MB capacity may be insufficient for data-intensive applications
-  Refresh Requirements : Unlike DRAM, no refresh needed, but higher cost per bit

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Supply Decoupling 
- *Pitfall*: Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
- *Solution*: Place 0.1μF ceramic capacitors within 5mm of each VCC pin, with bulk 10μF tantalum capacitors distributed across the board

 Signal Integrity Issues 
- *Pitfall*: Long, unmatched trace lengths causing timing violations
- *Solution*: Maintain trace lengths within 25% variation for address/data buses, use series termination resistors (22-33Ω) near driver

 Timing Margin Violations 
- *Pitfall*: Insufficient setup/hold time margins at higher temperatures
- *Solution*: Perform worst-case timing analysis across temperature range, add buffer chips if necessary

### Compatibility Issues with Other Components
 Microcontroller Interfaces 
-  3.3V Systems : Direct compatibility with most modern 3.3V microcontrollers
-  5V Systems : Requires level shifters for address/data lines; careful attention to VIH/VIL specifications
-  Mixed Signal Systems : Ensure proper grounding separation from analog components

 Bus Contention 
-  Multiple Memory Devices : Use chip select decoding to prevent simultaneous activation
-  Bidirectional Buses : Implement proper tri-state control timing

### PCB Layout Recommendations
 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Ensure power traces are minimum 20 mil width for current carrying capacity

 Signal Routing 
- Route address/data buses as matched-length groups
- Maintain 3W spacing rule between critical signals
- Avoid 90° turns; use 45° angles or curves

 Component Placement 
- Position decoupling capacitors on same side as SRAM, close to power pins
-

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY62128BLL-70SXE,CY62128BLL70SXE CYP 2340 In Stock

Description and Introduction

128K x 8 Static RAM The CY62128BLL-70SXE is a 128K x 8 low-power CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Organization**: 128K x 8 (1 Mbit)  
- **Supply Voltage**: 2.2V to 3.6V  
- **Access Time**: 70 ns  
- **Operating Current**: 3 mA (typical)  
- **Standby Current**: 2 µA (typical)  
- **Package**: 32-pin TSOP-I  
- **Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)  
- **Technology**: Low-power CMOS  
- **Data Retention**: >10 years  
- **I/O Compatibility**: TTL  

This SRAM is designed for battery-backed or low-power applications.

Application Scenarios & Design Considerations

128K x 8 Static RAM# Technical Documentation: CY62128BLL70SXE 128K x 8 SRAM

 Manufacturer : CYP

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY62128BLL70SXE serves as primary volatile memory in embedded systems requiring moderate-speed data storage with low power consumption. Key implementations include:

-  Data Buffering Applications : Temporary storage for sensor data in IoT devices, where the 128KB capacity efficiently handles burst data transfers from multiple sensors
-  Program Execution Memory : Code execution space for microcontroller-based systems, particularly in industrial controllers with real-time operating requirements
-  Display Frame Buffers : Temporary storage for graphical data in embedded displays and HMI interfaces
-  Communication Buffers : Packet buffering in network equipment and telecommunications devices handling moderate data throughput

### Industry Applications
 Industrial Automation : Deployed in PLCs (Programmable Logic Controllers) for ladder logic execution and I/O data buffering. The component's industrial temperature range (-40°C to +85°C) ensures reliable operation in harsh manufacturing environments.

 Medical Devices : Used in portable medical monitoring equipment where low standby current (2.5μA typical) extends battery life. Applications include patient monitors and diagnostic equipment requiring reliable data retention.

 Automotive Systems : Implementation in infotainment systems and body control modules, where the SRAM stores temporary configuration data and user preferences.

 Consumer Electronics : Integration in smart home controllers, gaming peripherals, and portable devices where the 70ns access time balances performance with power efficiency.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Low Power Operation : Active current of 15mA (typical) and standby current of 2.5μA enable extended battery life in portable applications
-  Wide Voltage Range : 2.2V to 3.6V operation accommodates various power supply configurations
-  High Reliability : CMOS technology provides excellent noise immunity and stable operation in electrically noisy environments
-  Industrial Temperature Range : -40°C to +85°C operation ensures reliability across extreme conditions

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires battery backup or supercapacitor for data retention during power loss
-  Moderate Density : 128KB capacity may be insufficient for data-intensive applications without external memory management
-  Speed Constraints : 70ns access time may not satisfy high-speed processing requirements in advanced computational applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 100nF ceramic capacitors placed within 10mm of each VCC pin, with additional 10μF bulk capacitance per power domain

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Ringing and overshoot on address/data lines due to improper termination
-  Solution : Use series termination resistors (22-33Ω) on critical signals, with careful attention to trace length matching for buses

 Data Retention in Sleep Modes 
-  Pitfall : Unintended data corruption during power-down transitions
-  Solution : Implement proper chip select (CE) sequencing and ensure VCC remains within data retention specifications during low-power modes

### Compatibility Issues with Other Components
 Microcontroller Interfaces 
-  3.3V Systems : Direct compatibility with most 3.3V microcontrollers (ARM Cortex-M, PIC32, etc.)
-  5V Systems : Requires level shifting for address and control lines when interfacing with 5V microcontrollers
-  Mixed-Signal Systems : Susceptible to noise from switching power supplies and motor drivers - maintain adequate physical separation and implement proper grounding

 Memory Expansion Considerations 
-  Bank Switching : Limited address space may require external decoding logic for systems requiring more than 128KB SRAM
-  Bus

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