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CY62128BLL-55ZAXI from CYP,Cypress

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CY62128BLL-55ZAXI

Manufacturer: CYP

128K x 8 Static RAM

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY62128BLL-55ZAXI,CY62128BLL55ZAXI CYP 2430 In Stock

Description and Introduction

128K x 8 Static RAM The CY62128BLL-55ZAXI is a 128K x 8 (1 Mbit) SRAM manufactured by Cypress Semiconductor (CYP). Key specifications include:  

- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Voltage Supply:** 2.2V to 3.6V  
- **Access Time:** 55 ns  
- **Operating Current:** 3 mA (typical at 3V, 55 ns)  
- **Standby Current:** 2 µA (typical, CMOS standby)  
- **Package:** 32-pin TSOP I  
- **Temperature Range:** Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Technology:** High-performance CMOS  
- **I/O:** 8-bit parallel  
- **Additional Features:**  
  - Low power consumption  
  - TTL-compatible inputs and outputs  
  - Automatic power-down when deselected  

This SRAM is designed for applications requiring low-power, high-speed memory, such as embedded systems and portable devices.

Application Scenarios & Design Considerations

128K x 8 Static RAM# CY62128BLL55ZAXI Technical Documentation

*Manufacturer: CYP*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY62128BLL55ZAXI is a 1-Mbit (128K × 8) static RAM organized as 131,072 words by 8 bits, operating at 55ns access time. This component finds extensive application in systems requiring moderate-speed, non-volatile data storage with low power consumption.

 Primary Use Cases: 
-  Embedded Systems : Serves as working memory for microcontroller-based applications requiring 1MB of fast-access storage
-  Data Buffering : Implements FIFO/LIFO buffers in communication interfaces and data acquisition systems
-  Cache Memory : Provides secondary cache storage in embedded processors and DSP systems
-  Temporary Storage : Used for intermediate calculations in industrial control systems and measurement equipment

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- Engine control units (ECUs) for real-time parameter storage
- Infotainment systems for temporary media buffering
- Advanced driver assistance systems (ADAS) for sensor data caching

 Industrial Automation 
- Programmable Logic Controllers (PLCs) for ladder logic execution
- Motor control systems for position and velocity data storage
- Process control equipment for recipe and parameter storage

 Consumer Electronics 
- Set-top boxes and digital TVs for channel information and user preferences
- Gaming consoles for temporary game state storage
- Smart home devices for configuration data and operational parameters

 Medical Devices 
- Patient monitoring equipment for real-time vital signs storage
- Diagnostic equipment for temporary test result buffering
- Portable medical devices for treatment parameter storage

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Power Operation : Typical standby current of 2μA at 2.0V makes it ideal for battery-powered applications
-  Wide Voltage Range : Operates from 2.2V to 3.6V, compatible with modern low-voltage systems
-  High Reliability : CMOS technology provides excellent noise immunity and stable operation
-  Simple Interface : Direct memory-mapped access eliminates complex protocol overhead
-  Temperature Range : Industrial temperature rating (-40°C to +85°C) ensures reliable operation in harsh environments

 Limitations: 
-  Density Constraints : 1-Mbit density may be insufficient for data-intensive applications
-  Speed Limitations : 55ns access time may not meet requirements for high-speed processing applications
-  Volatile Memory : Requires battery backup or alternative retention methods for data persistence
-  Package Size : SOI-32 package may be larger than BGA alternatives for space-constrained designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Place 100nF ceramic capacitors within 5mm of VCC pins, with additional 10μF bulk capacitor per device

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Long, unterminated address/data lines causing signal reflections
-  Solution : Implement series termination resistors (22-33Ω) close to driver outputs for traces longer than 75mm

 Timing Violations 
-  Pitfall : Ignoring setup/hold time requirements leading to data corruption
-  Solution : Ensure address and control signals are stable at least 10ns before chip enable assertion

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
-  3.3V Systems : Direct compatibility with most modern microcontrollers (ARM Cortex-M, PIC32, etc.)
-  5V Systems : Requires level shifters for address and control lines; data bus may tolerate 5V inputs
-  Mixed-Signal Systems : Ensure proper isolation from noisy analog sections to prevent data corruption

 Bus Cont

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY62128BLL-55ZAXI,CY62128BLL55ZAXI CYPRESSIND 15000 In Stock

Description and Introduction

128K x 8 Static RAM The CY62128BLL-55ZAXI is a 128K x 8 (1 Mbit) Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Size:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Organization:** 128K words × 8 bits  
- **Supply Voltage:** 2.2V to 3.6V  
- **Access Time:** 55 ns  
- **Operating Current:** 3 mA (typical)  
- **Standby Current:** 2 µA (typical)  
- **Package:** 32-pin TSOP-I  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Interface:** Parallel  
- **Technology:** Low-power CMOS  

This SRAM is designed for low-power applications and features a high-speed access time suitable for embedded systems.

Application Scenarios & Design Considerations

128K x 8 Static RAM# CY62128BLL55ZAXI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY62128BLL55ZAXI serves as a high-performance 128Kb (16K × 8) static RAM component optimized for low-power applications requiring fast access times and reliable data retention. Typical implementations include:

-  Embedded Systems : Primary volatile memory for microcontroller-based designs requiring 55ns access times
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces, data acquisition systems, and peripheral controllers
-  Cache Memory : Secondary cache in embedded processors where fast read/write operations are critical
-  Backup Power Systems : Battery-backed applications leveraging the component's low standby current (2μA typical)

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- Infotainment systems buffer storage
- Engine control unit (ECU) temporary data logging
- Telematics and GPS navigation cache memory

 Industrial Control Systems 
- PLC (Programmable Logic Controller) data registers
- Motor control parameter storage
- Sensor data acquisition buffering

 Consumer Electronics 
- Smart home device configuration storage
- Portable medical device memory
- Gaming peripheral temporary storage

 Communications Equipment 
- Network router configuration buffers
- Wireless base station control data
- Telecom infrastructure temporary storage

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Power Consumption : Active current of 4mA (typical) at 5MHz, standby current of 2μA (typical)
-  Wide Voltage Range : Operates from 2.2V to 3.6V, compatible with various power schemes
-  High Speed : 55ns access time suitable for real-time applications
-  Temperature Resilience : Industrial temperature range (-40°C to +85°C)
-  Data Retention : Excellent retention characteristics with minimal power consumption

 Limitations: 
-  Density Constraints : 128Kb capacity may be insufficient for data-intensive applications
-  Voltage Sensitivity : Requires stable power supply within specified range for reliable operation
-  Refresh Requirements : Unlike DRAM, no refresh needed, but volatile nature requires backup strategies for critical data

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing voltage droops during simultaneous switching
-  Solution : Implement 0.1μF ceramic capacitors within 10mm of each VCC pin, plus bulk 10μF tantalum capacitor per power domain

 Signal Integrity Issues 
-  Pitfall : Long, unmatched address/data lines causing signal reflection and timing violations
-  Solution : Route critical signals (address, control) with controlled impedance, maintain trace length matching within ±5mm

 Noise Sensitivity 
-  Pitfall : Cross-talk from adjacent high-speed signals affecting memory reliability
-  Solution : Provide adequate spacing (≥3× trace width) from clock and other high-frequency signals, use ground guards

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
-  Timing Compatibility : Verify controller read/write cycle timing matches SRAM 55ns specification
-  Voltage Level Matching : Ensure I/O voltage levels are compatible when interfacing with 3.3V or mixed-voltage systems
-  Bus Loading : Consider fan-out limitations when multiple devices share the same bus

 Mixed-Signal Systems 
-  Noise Coupling : SRAM operation can inject noise into sensitive analog circuits
-  Mitigation : Separate analog and digital grounds, use star-point grounding scheme

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement multiple vias for power connections to reduce inductance
- Place decoupling capacitors close to power pins with short, wide traces

 Signal Routing 
-  Address/Data Buses

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