Memory : MicroPower SRAMs The CY62126DV30LL-55ZI is a SRAM (Static Random Access Memory) device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 1 Mbit (128K x 8)
- **Voltage Supply**: 3.0V (2.7V to 3.6V operating range)
- **Speed**: 55 ns access time
- **Package**: 32-pin TSOP Type I (Zi)
- **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Standby Current**: 2 µA (typical) in battery backup mode
- **Operating Current**: 12 mA (typical) at 1 MHz
- **Technology**: High-speed CMOS
- **Organization**: 131,072 words x 8 bits
- **Data Retention**: >10 years in battery backup mode
- **Pin Count**: 32
- **Interface**: Parallel
- **Features**: Low power consumption, automatic power-down when deselected, TTL-compatible inputs and outputs

This SRAM is designed for applications requiring non-volatile memory with battery backup capability.

Memory : MicroPower SRAMs The CY62126DV30LL-55ZI is a SRAM (Static Random Access Memory) device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Size**: 1 Mbit (128K x 8-bit)
- **Technology**: Asynchronous SRAM
- **Voltage Supply**: 2.7V to 3.6V (3V operation)
- **Speed**: 55 ns access time
- **Package**: 32-pin TSOP-I (Thin Small Outline Package)
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Standby Current**: Low power consumption in standby mode (typical 2 µA)
- **I/O Type**: 8-bit parallel interface
- **Additional Features**: 
  - CMOS technology for low power
  - Automatic power-down when deselected
  - TTL-compatible inputs and outputs

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, always refer to the official documentation.