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CY62126DV30LL-55ZI from CY,Cypress

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CY62126DV30LL-55ZI

Manufacturer: CY

Memory : MicroPower SRAMs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY62126DV30LL-55ZI,CY62126DV30LL55ZI CY 665 In Stock

Description and Introduction

Memory : MicroPower SRAMs The CY62126DV30LL-55ZI is a SRAM (Static Random Access Memory) device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Density**: 1 Mbit (128K x 8)
- **Voltage Supply**: 3.0V (2.7V to 3.6V operating range)
- **Speed**: 55 ns access time
- **Package**: 32-pin TSOP Type I (Zi)
- **Temperature Range**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Standby Current**: 2 µA (typical) in battery backup mode
- **Operating Current**: 12 mA (typical) at 1 MHz
- **Technology**: High-speed CMOS
- **Organization**: 131,072 words x 8 bits
- **Data Retention**: >10 years in battery backup mode
- **Pin Count**: 32
- **Interface**: Parallel
- **Features**: Low power consumption, automatic power-down when deselected, TTL-compatible inputs and outputs

This SRAM is designed for applications requiring non-volatile memory with battery backup capability.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : MicroPower SRAMs# CY62126DV30LL55ZI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios (45%)

### Typical Use Cases
The CY62126DV30LL55ZI is a 1-Mbit (128K × 8) static RAM designed for applications requiring high-speed, low-power data storage with battery backup capability. Key use cases include:

-  Embedded Systems : Primary volatile memory for microcontroller-based systems requiring fast access times (55ns)
-  Data Buffering : Temporary storage in communication interfaces, data acquisition systems, and peripheral controllers
-  Cache Memory : Secondary cache in industrial controllers and automotive systems
-  Backup Memory : Battery-backed configuration storage in medical devices and industrial equipment

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Infotainment systems, engine control units, and telematics (operating temperature: -40°C to +85°C)
-  Industrial Control : PLCs, motor controllers, and automation systems
-  Medical Devices : Portable medical equipment and patient monitoring systems
-  Consumer Electronics : Smart home devices, gaming peripherals, and set-top boxes
-  Telecommunications : Network equipment and base station controllers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Power Consumption : 3.0V operation with typical standby current of 2.5μA
-  High Speed : 55ns access time suitable for real-time applications
-  Wide Temperature Range : Automotive-grade temperature operation
-  Data Retention : Low data retention voltage (2.0V minimum) for battery backup
-  High Reliability : Industrial-grade construction with high endurance

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires continuous power or battery backup for data retention
-  Density Limitations : 1-Mbit density may be insufficient for large data storage applications
-  Package Constraints : 32-pin TSOP package may require careful PCB design for high-frequency operation

## 2. Design Considerations (35%)

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling: 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing signal integrity issues and data corruption
-  Solution : Use 0.1μF ceramic capacitors placed within 5mm of each VCC pin, with bulk 10μF tantalum capacitors for the power rail

 Signal Integrity: 
-  Pitfall : Long, unmatched trace lengths causing timing violations
-  Solution : Keep address and control signals within 25% length matching, use series termination for traces longer than 75mm

 Battery Backup Design: 
-  Pitfall : Improper battery switching causing data loss during power transitions
-  Solution : Implement proper power monitoring circuitry with smooth transition between main and backup power

### Compatibility Issues

 Voltage Level Compatibility: 
- The 3.0V operation requires level translation when interfacing with 5V systems
- Recommended level shifters: TXB0108 (8-bit bidirectional) or SN74LVC8T245 (8-bit directional)

 Timing Constraints: 
- Ensure microcontroller wait states accommodate the 55ns access time
- Verify setup and hold times match controller specifications

 Memory Mapping: 
- 128K × 8 organization requires proper address decoding in systems with larger memory spaces

### PCB Layout Recommendations

 Power Distribution: 
- Use dedicated power planes for VCC and GND
- Implement star-point grounding for analog and digital sections
- Place decoupling capacitors on the same layer as the SRAM

 Signal Routing: 
- Route address and data buses as matched-length groups
- Maintain 3W rule for critical signal spacing
- Avoid crossing split planes with high-speed signals

 Thermal Management: 
- Provide adequate copper pour for heat dissipation
- Ensure minimum 2mm clearance for airflow in high-density layouts
- Consider thermal vias for heat transfer

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CY62126DV30LL-55ZI,CY62126DV30LL55ZI CYPRESS 1335 In Stock

Description and Introduction

Memory : MicroPower SRAMs The CY62126DV30LL-55ZI is a SRAM (Static Random Access Memory) device manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Size**: 1 Mbit (128K x 8-bit)
- **Technology**: Asynchronous SRAM
- **Voltage Supply**: 2.7V to 3.6V (3V operation)
- **Speed**: 55 ns access time
- **Package**: 32-pin TSOP-I (Thin Small Outline Package)
- **Operating Temperature**: Industrial (-40°C to +85°C)
- **Standby Current**: Low power consumption in standby mode (typical 2 µA)
- **I/O Type**: 8-bit parallel interface
- **Additional Features**: 
  - CMOS technology for low power
  - Automatic power-down when deselected
  - TTL-compatible inputs and outputs

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, always refer to the official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

Memory : MicroPower SRAMs# CY62126DV30LL55ZI Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CY62126DV30LL55ZI is a 1-Mbit (128K × 8) static RAM organized as 131,072 words by 8 bits, operating at 3.0V with 55ns access time. This component finds extensive application in scenarios requiring moderate-speed, low-power volatile memory storage.

 Primary Use Cases: 
-  Embedded Systems : Temporary data storage in microcontroller-based systems
-  Data Buffering : Intermediate storage in communication interfaces and data processing pipelines
-  Cache Memory : Secondary cache in industrial control systems
-  Temporary Storage : Volatile memory for configuration parameters and runtime variables

### Industry Applications
 Industrial Automation 
- PLCs (Programmable Logic Controllers) for temporary variable storage
- Motor control systems for parameter buffering
- Sensor data acquisition systems

 Consumer Electronics 
- Set-top boxes and digital televisions
- Gaming consoles for temporary game state storage
- Printers and multifunction devices

 Telecommunications 
- Network routers and switches for packet buffering
- Base station equipment
- Communication protocol handlers

 Medical Devices 
- Patient monitoring equipment
- Portable medical instruments
- Diagnostic equipment data buffers

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Power Consumption : 3.0V operation with typical standby current of 2μA
-  High Speed : 55ns access time suitable for real-time applications
-  Wide Temperature Range : Industrial temperature rating (-40°C to +85°C)
-  High Reliability : CMOS technology with excellent noise immunity
-  Easy Integration : Standard 8-bit parallel interface

 Limitations: 
-  Volatile Memory : Requires constant power to retain data
-  Density Limitations : 1-Mbit density may be insufficient for high-capacity applications
-  Speed Constraints : Not suitable for high-frequency applications exceeding 18MHz
-  Package Limitations : 32-pin SOIC package may require significant board space

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Power Supply Decoupling 
-  Pitfall : Inadequate decoupling causing signal integrity issues
-  Solution : Place 0.1μF ceramic capacitors within 5mm of VCC pins, with bulk 10μF tantalum capacitor per power domain

 Signal Integrity 
-  Pitfall : Long, un-terminated address/data lines causing reflections
-  Solution : Implement proper termination (series or parallel) for traces longer than 15cm
-  Pitfall : Crosstalk between adjacent signal lines
-  Solution : Maintain minimum 2× trace width spacing between critical signals

 Timing Violations 
-  Pitfall : Insufficient address setup time before chip enable
-  Solution : Ensure tAS (address setup time) ≥ 0ns as per datasheet
-  Pitfall : Output enable timing violations
-  Solution : Adhere to tOE (output enable time) specifications

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
-  3.3V Systems : Direct compatibility with 3.3V microcontrollers
-  5V Systems : Requires level shifting; not 5V tolerant on I/O pins
-  Mixed Voltage Systems : Use bidirectional voltage translators for interface with 1.8V or 5V components

 Bus Contention 
-  Issue : Multiple devices driving the data bus simultaneously
-  Solution : Implement proper bus arbitration and tri-state control
-  Recommendation : Use bus transceivers with direction control

 Clock Domain Crossing 
-  Synchronous Systems : Ensure proper metastability protection when crossing clock domains
-  Asynchronous Operation : Account for worst-case timing margins

### PCB Layout Recommendations

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