64K x 8 High-Speed CMOS EPROM The CY27H512-70WMB is a high-speed CMOS Static RAM (SRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are the key specifications:

- **Organization**: 512K x 8 (4 Megabit)
- **Technology**: High-speed CMOS
- **Access Time**: 70 ns
- **Operating Voltage**: 5V ±10%
- **Operating Temperature Range**: Commercial (0°C to +70°C)
- **Package**: 32-pin Windowed Ceramic DIP (WDIP)
- **I/O Type**: Common I/O (separate input and output)
- **Standby Current**: 10 mA (typical)
- **Active Current**: 120 mA (typical at 70 ns)
- **Data Retention Voltage**: 2V (min)
- **Features**: 
  - Low power consumption
  - Fully static operation
  - TTL-compatible inputs and outputs
  - Three-state outputs
  - Byte-wide organization

This SRAM is designed for applications requiring high-speed, low-power memory with non-volatile capability when used with an external battery backup. The windowed ceramic package allows for UV erasure if used in EPROM-compatible applications.