256 Kbit (32K x 8) nvSRAM The CY14B256LA-SZ25XI is a non-volatile SRAM (nvSRAM) manufactured by Cypress Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Memory Size**: 256 Kb (32 Kb x 8)
- **Interface**: Parallel
- **Supply Voltage**: 2.7V to 3.6V  
- **Access Time**: 25 ns  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
- **Data Retention**: 20 years  
- **Endurance**: Unlimited read/write cycles  
- **Package**: 28-SOIC  
- **Features**:  
  - Automatic store on power loss  
  - Unlimited write cycles  
  - Fast access time  
  - Low power consumption  

This device combines SRAM speed with non-volatile data storage, making it suitable for applications requiring high-speed writes and data retention during power loss.

256 Kbit (32K x 8) nvSRAM The CY14B256LA-SZ25XI is a 256-Kbit (32K x 8) Serial (I2C) F-RAM (Ferroelectric RAM) memory device manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Memory Size:** 256 Kbit (32K x 8)  
- **Interface:** I2C (up to 1 MHz)  
- **Operating Voltage:** 1.8V to 3.6V  
- **Endurance:** 10^14 read/write cycles  
- **Data Retention:** 10 years at 85°C  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package:** 8-pin SOIC  
- **Density Options:** 32K x 8  
- **Write Speed:** No write delays (similar to SRAM)  
- **Additional Features:**  
  - Hardware and software write protection  
  - Industrial temperature grade  

This device is designed for applications requiring high endurance, low power, and non-volatile memory with fast write speeds.