8-Mbit (1024 K ?8/512 K ?16) nvSRAM The CY14B108N-ZSP25XI is a non-volatile SRAM (nvSRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Size**: 1 Mbit (128K x 8)  
- **Interface**: Parallel  
- **Supply Voltage**: 2.7V to 3.6V  
- **Access Time**: 25 ns  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
- **Package**: 32-pin SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Data Retention**: 20 years  
- **Endurance**: Unlimited read/write cycles (SRAM), 1 million write cycles (non-volatile element)  
- **AutoStore Feature**: Automatically saves SRAM data to non-volatile storage during power loss  
- **Industrial-Grade**: Suitable for harsh environments  

This device combines SRAM speed with non-volatile data retention, making it ideal for applications requiring fast writes and reliable backup.