4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM The CY14B104NA-ZS45XI is a non-volatile SRAM (nvSRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Memory Size**: 4 Mbit (512K x 8)  
- **Interface**: Parallel  
- **Voltage Supply**: 2.7V to 3.6V  
- **Access Time**: 45 ns  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C  
- **Package**: 44-pin TSOP (Type II)  
- **Endurance**: Unlimited read/write cycles  
- **Data Retention**: 20 years (minimum)  
- **AutoStore Feature**: Automatically saves SRAM data to non-volatile storage during power loss  

This device combines SRAM speed with non-volatile data retention, making it suitable for applications requiring fast writes and reliable backup.