1-Mbit (128 K ?8/64 K ?16) nvSRAM The CY14B101LA-ZS45XI is a non-volatile SRAM (nvSRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now part of Infineon Technologies). Here are its key specifications:

1. **Memory Size**: 1 Mbit (128K x 8-bit)  
2. **Technology**: Combines SRAM with non-volatile elements for instant backup and recall.  
3. **Interface**: Parallel (asynchronous).  
4. **Operating Voltage**: 4.5V to 5.5V.  
5. **Access Time**: 45 ns (max).  
6. **Data Retention**: 20 years (non-volatile storage).  
7. **Operating Temperature Range**: -40°C to +85°C (industrial grade).  
8. **Package**: 32-pin SOIC (ZS45XI).  
9. **Endurance**: Unlimited SRAM read/write cycles; 100,000 NV backup cycles.  
10. **AutoStore Feature**: Automatically saves SRAM data to non-volatile storage on power loss.  

This device is designed for applications requiring high-speed SRAM with non-volatile data retention.