1-Mbit (128 K ?8/64 K ?16) nvSRAM The CY14B101LA-SP45XI is a radiation-hardened (RadHard) 1-Mbit (128K x 8) Serial Peripheral Interface (SPI) Non-Volatile Static Random Access Memory (nvSRAM) manufactured by Cypress Semiconductor (now Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Memory Size:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Interface:** SPI (Serial Peripheral Interface)  
- **Supply Voltage:** 3.0V to 3.6V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Radiation Hardened:**  
  - Total Ionizing Dose (TID): 100 krad(Si)  
  - Single Event Latch-up (SEL) Immunity: >120 MeV-cm²/mg  
  - Single Event Upset (SEU) Immunity: <1E-10 errors/bit-day  
- **Data Retention:** 20 years  
- **Endurance:** Unlimited read/write cycles (SRAM mode)  
- **Package:** 8-lead SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  
- **Qualification Level:** Space-grade (QML-V or equivalent)  

This device is designed for aerospace, defense, and other high-reliability applications requiring non-volatile memory with radiation tolerance.

1-Mbit (128 K ?8/64 K ?16) nvSRAM The CY14B101LA-SP45XI is a radiation-hardened, 1-Mbit (128K × 8) serial (SPI) nonvolatile static RAM (nvSRAM) manufactured by Cypress (now Infineon Technologies).  

### Key Specifications:  
- **Memory Size:** 1 Mbit (128K × 8)  
- **Interface:** SPI (Serial Peripheral Interface)  
- **Operating Voltage:** 3.0V to 3.6V  
- **Speed:** Up to 20 MHz clock frequency  
- **Data Retention:** 20 years (minimum)  
- **Endurance:** Unlimited read cycles, 100,000 write cycles  
- **Radiation Hardened:**  
  - SEL (Single Event Latchup) Immune to LET ≥ 120 MeV·cm²/mg  
  - TID (Total Ionizing Dose) ≥ 100 krad(Si)  
- **Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package:** 8-lead SOIC (Small Outline Integrated Circuit)  

This device combines SRAM speed with nonvolatile data storage, making it suitable for aerospace and high-reliability applications.