The **CXK581000M-10L** is a high-performance **Static Random-Access Memory (SRAM)** component designed for applications requiring fast data access and low power consumption. With a capacity of **1 Megabit (128K x 8-bit)**, this SRAM is well-suited for embedded systems, industrial automation, telecommunications, and other demanding electronic applications.  

Operating at a **10ns access time**, the CXK581000M-10L ensures rapid read and write operations, making it ideal for real-time processing tasks. It features a **low-power CMOS technology**, which enhances energy efficiency without compromising performance. The device supports a **wide voltage range (4.5V to 5.5V)**, ensuring compatibility with various system designs.  

Key characteristics of the CXK581000M-10L include a **fully static operation**, meaning no refresh cycles are required, and a **tri-state output** for simplified bus interfacing. Its **industrial-grade reliability** makes it suitable for harsh environments where stable operation is critical.  

Engineers and designers often select this component for its **balance of speed, power efficiency, and durability**, making it a dependable choice for memory-intensive applications. Whether used in legacy systems or modern embedded designs, the CXK581000M-10L provides a robust solution for volatile memory needs.