131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM The part **CXK581000AM-10LL** is a **1Mbit (128K x 8bit) CMOS Static RAM (SRAM)** manufactured by **SONY**.  

### Key Specifications:  
- **Organization**: 128K words × 8 bits  
- **Supply Voltage**: 5V ±10%  
- **Access Time**: 10ns  
- **Operating Current**: 40mA (max)  
- **Standby Current**: 10μA (max)  
- **Package**: 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range**: 0°C to +70°C  

This SRAM is designed for high-speed applications and features **low power consumption** in standby mode.  

(Source: SONY datasheet for CXK581000AM-10LL)

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM **Introduction to the CXK581000AM-10LL Electronic Component**  

The CXK581000AM-10LL is a high-performance CMOS static random-access memory (SRAM) component designed for applications requiring fast data access and low power consumption. With a capacity of 1 Megabit (128K x 8-bit), this SRAM operates at a speed of 10ns, making it suitable for high-speed processing tasks in embedded systems, networking equipment, and industrial automation.  

Featuring a low standby current and a wide operating voltage range, the CXK581000AM-10LL ensures reliable performance in energy-sensitive environments. Its asynchronous operation allows for straightforward integration into existing designs without complex timing constraints. The component is housed in a compact 32-pin SOP (Small Outline Package), offering space efficiency for densely populated circuit boards.  

Designed for durability, the CXK581000AM-10LL supports extended temperature ranges, making it ideal for harsh operating conditions. Its non-volatile storage capability ensures data retention even during power interruptions, enhancing system reliability.  

Engineers and designers often select the CXK581000AM-10LL for its balance of speed, power efficiency, and robustness, making it a versatile choice for modern electronic applications. Whether used in telecommunications, medical devices, or automotive systems, this SRAM delivers consistent performance under demanding conditions.

131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM # Introduction to the CXK581000AM-10LL Electronic Component  

The **CXK581000AM-10LL** is a high-performance **1Mbit (128K x 8) CMOS Static Random Access Memory (SRAM)** designed for applications requiring fast, low-power data storage and retrieval. Operating at a **10ns access time**, this component is well-suited for embedded systems, networking equipment, and industrial automation where speed and reliability are critical.  

Built with **low-power CMOS technology**, the CXK581000AM-10LL ensures efficient energy consumption, making it ideal for battery-powered or energy-sensitive devices. It features a **wide operating voltage range** and maintains data integrity without the need for constant refreshing, unlike dynamic RAM (DRAM).  

The **asynchronous SRAM** offers a simple interface, allowing easy integration with microcontrollers and processors. Its **industrial-grade temperature range** ensures stable performance in harsh environments. Additionally, the **LL (Low-Lead) packaging** complies with modern environmental standards, reducing hazardous materials.  

Engineers favor the CXK581000AM-10LL for its **high-speed operation, low standby current, and robust design**, making it a dependable choice for high-performance computing and real-time processing applications. Whether used in telecommunications, medical devices, or automotive systems, this SRAM delivers consistent, high-speed data access with minimal power consumption.