30V N-Channel High Side NexFET Power MOSFET with 20 Volt Vgs The part CSD17507Q5A is manufactured by Texas Instruments (TI). It is a 30 V N-channel NexFET power MOSFET with the following key specifications:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30 V
- **Continuous Drain Current (ID):** 50 A
- **RDS(on) (Max) at VGS = 4.5 V:** 5.2 mΩ
- **RDS(on) (Max) at VGS = 2.5 V:** 7.5 mΩ
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** SON 5x6 (5-pin, 5 mm x 6 mm)

This MOSFET is designed for high-efficiency power conversion applications.