### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-223  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -30V  
- **Collector Current (I_C):** -5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) at I_C = -1A  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Applications:** Power management, switching, amplification  

This transistor is designed for high-current and medium-power applications.