High-Voltage Transistor Arrays The CA3146 is a monolithic integrated circuit manufactured by Harris Semiconductor. It consists of five independent NPN transistors on a single chip, designed for general-purpose amplifier and switching applications. 

Key specifications:
- Transistor type: NPN
- Number of transistors: 5 (independent)
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): 40V (max)
- Collector-Base Voltage (VCBO): 40V (max)
- Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V (max)
- Collector Current (IC): 50mA (max per transistor)
- Power Dissipation (PD): 625mW (total for all five transistors)
- DC Current Gain (hFE): 40 minimum at IC = 1mA, VCE = 5V
- Transition Frequency (fT): 100MHz (typical)
- Operating Temperature Range: -55°C to +125°C

The device is housed in a 14-lead ceramic dual in-line package (DIP).

High-Voltage Transistor Arrays The CA3146 is a monolithic integrated circuit manufactured by **Intersil**. It is a **quad bipolar transistor array** designed for general-purpose applications.  

### Key Specifications:  
- **Configuration:** Four independent NPN transistors in a single package.  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 50mA (per transistor)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 (minimum) at I_C = 1mA, V_CE = 5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW (per transistor)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

### Package Options:  
- **14-Pin DIP (Dual Inline Package)**  
- **14-Pin SOIC (Small Outline IC)**  

### Applications:  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  
- General-purpose transistor array applications  

The CA3146 is part of Intersil's **CA-series** of transistor arrays, known for their reliability and performance in analog and digital circuits.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise specifications.)

High-Voltage Transistor Arrays The CA3146 is a monolithic integrated circuit manufactured by Harris Semiconductor (now part of Intersil, which was acquired by Renesas Electronics). It is a quad bipolar transistor array designed for general-purpose switching and amplifier applications.  

### **Key Specifications (HAR Manufacturer):**  
- **Configuration:** Quad NPN/PNP transistor array  
- **Transistor Type:** Bipolar (NPN and PNP)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 40V (NPN), -40V (PNP)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V (NPN), -40V (PNP)  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V (NPN), -5V (PNP)  
- **Collector Current (I_C):** 50mA (per transistor)  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW (per transistor)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 240 (NPN), 40 to 200 (PNP)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package Type:** 14-pin DIP (Dual In-line Package)  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Logic buffers  
- Relay drivers  

This information is based on the original Harris Semiconductor (HAR) datasheet. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

High-Voltage Transistor Arrays The CA3146 is a monolithic integrated circuit manufactured by Intersil (now part of Renesas Electronics). It consists of five general-purpose NPN transistors on a single chip. Key specifications include:  

- **Transistor Type**: NPN  
- **Number of Transistors**: 5  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 50mA per transistor  
- **Power Dissipation (P_D)**: 360mW (total for all transistors)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 (minimum)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  
- **Package**: 14-pin DIP (Dual In-line Package)  

The transistors are isolated from each other, making them suitable for use in various analog and digital applications.