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CR200 from Vishay

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CR200

Manufacturer: Vishay

Diode Current Reg. 135V 2.2mA 2-Pin TO-206AA

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CR200 Vishay 9 In Stock

Description and Introduction

Diode Current Reg. 135V 2.2mA 2-Pin TO-206AA The CR200 is a photodiode manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: Silicon PIN Photodiode  
- **Package**: T-1¾ (5 mm)  
- **Wavelength Range**: 400 nm to 1100 nm  
- **Peak Sensitivity Wavelength**: 900 nm  
- **Active Area Diameter**: 4.6 mm  
- **Reverse Voltage (Max)**: 60 V  
- **Dark Current (Typical)**: 2 nA (at VR = 10 V)  
- **Capacitance (Typical)**: 50 pF (at VR = 10 V)  
- **Rise Time**: 10 ns (at VR = 10 V)  
- **Field of View**: 130°  
- **Operating Temperature Range**: -40°C to +100°C  

These specifications are based on Vishay's datasheet for the CR200 photodiode.

Application Scenarios & Design Considerations

Diode Current Reg. 135V 2.2mA 2-Pin TO-206AA# Technical Documentation: CR200 Series Schottky Barrier Rectifier

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CR200 series Schottky barrier rectifiers are primarily employed in  high-frequency switching applications  where low forward voltage drop and fast recovery characteristics are critical. Common implementations include:

-  Switch-mode power supply (SMPS) output rectification  in DC-DC converters (buck, boost, flyback topologies)
-  Freewheeling diodes  in inductive load circuits (motor drives, relay coils, solenoid controllers)
-  Reverse polarity protection  in battery-powered devices and portable electronics
-  OR-ing diode applications  in redundant power systems and hot-swap configurations
-  Voltage clamping circuits  in transient suppression applications

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : LCD/LED TV power boards, laptop adapters, gaming console power supplies
-  Automotive Systems : DC-DC converters in infotainment systems, LED lighting drivers, battery management systems
-  Industrial Automation : PLC power supplies, motor drive circuits, industrial sensor interfaces
-  Telecommunications : Base station power modules, network equipment DC power distribution
-  Renewable Energy : Solar microinverters, charge controllers, power optimizers

### Practical Advantages
-  Low forward voltage drop  (typically 0.38V at 1A): Reduces power dissipation and improves efficiency in high-current applications
-  Fast switching characteristics  (negligible reverse recovery time): Minimizes switching losses in high-frequency circuits (>100 kHz)
-  High surge current capability : Withstands inrush currents during startup and transient conditions
-  Low thermal resistance : Enables compact designs without excessive heat sinking
-  Lead-free and RoHS compliant : Meets environmental regulations for global markets

### Limitations
-  Lower reverse voltage rating  (20V-100V depending on variant): Not suitable for high-voltage applications
-  Higher reverse leakage current  compared to PN junction diodes: Can affect efficiency in low-power standby modes
-  Temperature sensitivity : Forward voltage decreases with temperature (negative temperature coefficient)
-  Limited avalanche capability : Requires external protection in circuits with significant voltage transients

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

| Pitfall | Consequence | Solution |
|---------|-------------|----------|
|  Exceeding reverse voltage rating  | Catastrophic failure, short circuit | Select device with V_RRM ≥ 1.5× maximum expected reverse voltage |
|  Inadequate thermal management  | Thermal runaway, reduced reliability | Calculate power dissipation (P_D = V_F × I_F) and ensure T_J < 125°C |
|  Ignoring reverse recovery effects  | EMI issues, switching losses | Use proper snubber circuits for inductive switching applications |
|  Overlooking PCB parasitics  | Ringing, overshoot, EMI problems | Minimize loop area, use proper decoupling, and implement controlled impedance traces |

### Compatibility Issues
-  Mixed diode technologies : Avoid paralleling Schottky diodes with PN junction diodes due to different forward characteristics
-  Gate drive circuits : Ensure CR200's low forward voltage doesn't interfere with MOSFET body diode conduction in synchronous rectifiers
-  Analog circuits : High reverse leakage current may affect precision analog circuits; consider isolation or alternative components
-  High-temperature environments : Derate current capability above 75°C ambient temperature (refer to derating curves in datasheet)

### PCB Layout Recommendations
```
Critical Layout Priorities:
1.  Minimize AC loop area  for high di/dt paths
2.  Provide adequate copper area  for heat dissipation
3.  Separate high-frequency switching nodes  from sensitive analog traces
4.  Use multiple vias  for thermal relief when connecting to ground/power planes

Specific Guidelines:
- Place CR200 as close as possible to

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