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CPH3418 from SANYO

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CPH3418

Manufacturer: SANYO

Medium Output MOSFETs

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CPH3418 SANYO 31520 In Stock

Description and Introduction

Medium Output MOSFETs The part CPH3418 is manufactured by SANYO. It is a P-channel MOSFET with the following specifications:  

- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGSS)**: ±20V  
- **Drain Current (ID)**: -4.3A  
- **Power Dissipation (PD)**: 1.5W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 85mΩ (max) at VGS = -10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: -1.0V to -2.5V  
- **Package**: SOP-8  

This information is based on the available datasheet specifications for the CPH3418 MOSFET by SANYO.

Application Scenarios & Design Considerations

Medium Output MOSFETs# Technical Documentation: CPH3418 PNP Transistor

*Manufacturer: SANYO*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CPH3418 is a high-performance PNP bipolar junction transistor (BJT) primarily employed in  switching applications  and  amplification circuits . Common implementations include:

-  Low-side switching  in power management systems (load currents up to 2A)
-  Audio amplification stages  in consumer electronics
-  Motor drive circuits  for small DC motors
-  Voltage regulation  in power supply units
-  Interface circuits  between microcontrollers and higher-power devices

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Power window controls, mirror adjustment systems, and lighting controls
-  Consumer Electronics : Audio amplifiers, power management in portable devices
-  Industrial Control : Relay drivers, solenoid controllers, and actuator drives
-  Telecommunications : Signal amplification and switching in communication equipment

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- High current handling capability (2A continuous collector current)
- Low saturation voltage (VCE(sat) typically 0.5V at IC=1A)
- Excellent thermal characteristics with proper heatsinking
- Robust construction suitable for industrial environments
- Cost-effective solution for medium-power applications

 Limitations: 
- Requires careful thermal management at maximum ratings
- Limited frequency response compared to modern MOSFET alternatives
- Higher power dissipation than equivalent MOSFETs in switching applications
- Base current requirement adds complexity to drive circuits

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
- *Pitfall*: Overheating under continuous maximum load conditions
- *Solution*: Implement adequate heatsinking and consider derating above 25°C ambient temperature

 Base Drive Circuit Design 
- *Pitfall*: Insufficient base current leading to high saturation voltage
- *Solution*: Ensure base current meets datasheet specifications (typically IC/10 for saturation)

 Voltage Spikes in Inductive Loads 
- *Pitfall*: Collector-emitter voltage overshoot when switching inductive loads
- *Solution*: Implement flyback diodes or snubber circuits across inductive elements

### Compatibility Issues with Other Components

 Driver Circuit Compatibility 
- Requires compatible voltage levels for base drive (typically 5V-12V logic)
- May need level shifting when interfacing with 3.3V microcontroller outputs

 Power Supply Considerations 
- Ensure power supply can deliver required base current without voltage droop
- Consider inrush current requirements for capacitive loads

 Thermal Interface Materials 
- Use appropriate thermal compounds with recommended thermal conductivity (>3 W/mK)
- Ensure mechanical compatibility with heatsink mounting requirements

### PCB Layout Recommendations

 Power Routing 
- Use wide traces for collector and emitter paths (minimum 2mm width per amp)
- Implement ground planes for improved thermal dissipation
- Place decoupling capacitors close to device pins (100nF ceramic + 10μF electrolytic)

 Thermal Management Layout 
- Provide adequate copper area for heatsinking (minimum 4cm² for full power operation)
- Use thermal vias to transfer heat to inner layers or bottom side copper
- Maintain minimum 2mm clearance from other heat-generating components

 Signal Integrity 
- Keep base drive traces short to minimize inductance
- Route sensitive analog signals away from high-current paths
- Implement proper grounding schemes to avoid ground loops

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Absolute Maximum Ratings 
- Collector-Base Voltage (VCBO): -60V
- Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
- Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
- Collector Current (IC): -2A (continuous)
- Total Power Dissipation (PT): 1.5

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