PicoMOSFET Series The **CPH3338** from **SANYO** is a high-performance electronic component designed for precision applications in modern circuitry. As a **phototransistor**, it is widely used in optoelectronic systems, offering reliable light detection and signal amplification. Its compact design and efficient performance make it suitable for integration into various devices, including sensors, encoders, and communication modules.  

Key features of the CPH3338 include **high sensitivity** to infrared light, **fast response times**, and **low dark current**, ensuring accurate operation in low-light conditions. The component is housed in a durable package, providing stability in diverse environmental conditions. Its compatibility with automated assembly processes further enhances its appeal for industrial and consumer electronics.  

Engineers and designers favor the CPH3338 for its **consistent performance** and **long-term reliability**, making it a preferred choice in applications requiring precise optical sensing. Whether used in automation, medical equipment, or consumer electronics, this phototransistor delivers dependable functionality while maintaining energy efficiency.  

With SANYO’s reputation for quality, the CPH3338 exemplifies the company’s commitment to innovation in optoelectronic components, meeting the demands of modern electronic systems.

PicoMOSFET Series# Technical Documentation: CPH3338 Phototransistor

*Manufacturer: SANYO*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CPH3338 is a silicon NPN phototransistor optimized for  infrared detection  in the 850-950 nm wavelength range. Primary applications include:

-  Optical encoders  - Position and speed detection in industrial motors
-  Object detection systems  - Proximity sensing in automated equipment
-  Slot sensors  - Paper detection in printers and paper handling equipment
-  Barrier interrupters  - Security systems and safety interlocks
-  Ambient light sensing  - Automatic brightness control in displays

### Industry Applications
-  Industrial Automation : Machine safety curtains, robotic arm positioning
-  Consumer Electronics : Automatic backlight control for LCD displays
-  Office Equipment : Paper jam detection in copiers and printers
-  Medical Devices : Fluid level detection in infusion pumps
-  Automotive : Sunlight sensors for automatic climate control systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- High photosensitivity with typical collector current of 20mA (Ee=20mW/cm²)
- Fast response time (tr=15μs max, tf=15μs max)
- Wide operating temperature range (-25°C to +85°C)
- Compact surface-mount package (4.0×3.0×2.1mm)
- Low dark current (100nA max at VCE=20V)

 Limitations: 
- Narrow spectral response peak at 940nm limits use with other wavelengths
- Requires precise optical alignment due to directional sensitivity
- Susceptible to ambient infrared interference
- Limited output current compared to photodarlington configurations

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Bias Resistor Selection 
-  Problem : Incorrect Rb value causes saturation or insufficient output
-  Solution : Calculate Rb = (VCC - VCE(sat)) / IC where IC should be 50-80% of maximum rating

 Pitfall 2: Ambient Light Interference 
-  Problem : False triggering from environmental IR sources
-  Solution : Implement optical filtering (940nm bandpass) and modulated detection circuits

 Pitfall 3: Thermal Drift 
-  Problem : Dark current doubles approximately every 10°C temperature increase
-  Solution : Use temperature compensation circuits or AC-coupled amplification

### Compatibility Issues with Other Components

 Infrared Emitters: 
- Must pair with 940nm IR LEDs (e.g., SANYO's SLR-56 series)
- Mismatched wavelengths reduce efficiency by >60%

 Amplification Stages: 
- Compatible with common op-amps (LM358, MCP6002)
- Requires high-impedance input stages due to current output nature

 Microcontroller Interfaces: 
- Direct connection possible for digital detection
- Analog reading requires current-to-voltage conversion

### PCB Layout Recommendations

 Optical Considerations: 
- Maintain 2-5mm clearance from other components to prevent shadowing
- Use IR-transparent solder mask or clear openings over the sensor
- Position away from heat-generating components to minimize thermal effects

 Electrical Layout: 
- Place bias resistor close to device pins to minimize parasitic capacitance
- Use ground plane beneath device but avoid under optical aperture
- Route sensitive analog traces away from digital noise sources

 Thermal Management: 
- Provide adequate copper area for heat dissipation during continuous operation
- Avoid placement near power regulators or motor drivers

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Collector-Emitter Voltage (VCEO): 30V 
- Maximum voltage that can be applied between collector and emitter
- Determines maximum supply voltage for the