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CN1812K50G from EPCOS

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CN1812K50G

Manufacturer: EPCOS

SMD Varistors

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CN1812K50G EPCOS 2000 In Stock

Description and Introduction

SMD Varistors The part **CN1812K50G** is manufactured by **EPCOS** (now part of TDK). Here are its specifications:  

- **Type**: Ceramic Multilayer Capacitor (MLCC)  
- **Capacitance**: 50 pF  
- **Tolerance**: ±10%  
- **Voltage Rating**: 100 V  
- **Dielectric Material**: Class 1 (NP0/C0G)  
- **Temperature Coefficient**: 0 ±30 ppm/°C (NP0/C0G)  
- **Package/Case**: 1812 (4532 Metric)  
- **Termination**: Standard SMD  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  
- **RoHS Compliance**: Yes  

This capacitor is designed for high-stability, low-loss applications in circuits requiring stable capacitance over temperature and frequency.

Application Scenarios & Design Considerations

SMD Varistors # CN1812K50G Multilayer Ceramic Capacitor (MLCC) Technical Documentation

*Manufacturer: EPCOS*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CN1812K50G is a 50pF, 5% tolerance, 50V multilayer ceramic capacitor in an 1812 package size (4.5mm × 3.2mm) designed for high-frequency applications requiring stable capacitance and low losses. Typical use cases include:

 RF/Microwave Circuits 
- Impedance matching networks in cellular base stations (2G-5G frequency bands)
- Antenna tuning circuits for IoT devices operating at 800MHz-6GHz
- Filter networks in satellite communication systems (L-band, S-band)
- RF power amplifier input/output matching

 High-Speed Digital Systems 
- DC blocking in high-speed serial interfaces (PCIe, USB 3.0/3.1, SATA)
- Power supply decoupling for FPGAs and high-performance processors
- Signal integrity enhancement in DDR3/DDR4 memory interfaces
- Clock distribution network stabilization

 Medical and Industrial Equipment 
- Ultrasound imaging system signal conditioning
- Industrial automation sensor interfaces
- Test and measurement instrument front-ends
- Wireless medical telemetry systems

### Industry Applications

 Telecommunications 
- Base station power amplifiers and transceivers
- Microwave backhaul equipment
- Small cell and femtocell infrastructure
- 5G massive MIMO systems

 Automotive Electronics 
- Advanced driver assistance systems (ADAS) radar (24GHz, 77GHz)
- Vehicle-to-everything (V2X) communication modules
- Infotainment system RF sections
- Telematics control units

 Aerospace and Defense 
- Radar system RF front-ends
- Electronic warfare equipment
- Satellite communication payloads
- Avionics communication systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages 
-  High Q Factor : Excellent quality factor (>1000 at 1MHz) minimizes signal losses
-  Low ESR : Typically <0.1Ω at 100MHz, reducing power dissipation
-  Temperature Stability : C0G/NP0 dielectric provides ±30ppm/°C temperature coefficient
-  High Self-Resonant Frequency : >1GHz in 1812 package, suitable for RF applications
-  RoHS Compliance : Meets environmental regulations

 Limitations 
-  Limited Capacitance Value : Maximum 50pF restricts high-capacitance applications
-  Package Size : 1812 footprint may be too large for space-constrained designs
-  Voltage Rating : 50V maximum limits high-voltage applications
-  Cost Consideration : C0G dielectric is more expensive than X7R/X5R alternatives

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Parasitic Inductance Issues 
- *Pitfall*: Excessive lead inductance reducing high-frequency performance
- *Solution*: Use shortest possible PCB traces and multiple vias to ground plane

 DC Bias Effects 
- *Pitfall*: Capacitance reduction under applied DC voltage
- *Solution*: Derate operating voltage to 70% of rated voltage (35V maximum)

 Thermal Management 
- *Pitfall*: Self-heating at high RF power levels
- *Solution*: Implement thermal vias and ensure adequate airflow

 Mechanical Stress 
- *Pitfall*: Cracking due to board flexure or thermal expansion mismatch
- *Solution*: Maintain minimum 1mm clearance from board edges and mounting holes

### Compatibility Issues with Other Components

 Active Devices 
- Compatible with GaAs and SiGe RF ICs up to 6GHz
- May require impedance matching with silicon-based devices
- Ensure proper biasing

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