N-CHANNEL Logic Level POWER MOSFET The CMT60N06 is a power MOSFET manufactured by CHAMPION. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 240A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on typical operating conditions at 25°C unless otherwise noted.

N-CHANNEL Logic Level POWER MOSFET The CMT60N06 is an N-channel MOSFET manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 240A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 2800pF  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 1000pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 300pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns  
- **Rise Time (t_r)**: 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns  
- **Fall Time (t_f)**: 30ns  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on Vishay's datasheet for the CMT60N06 MOSFET.