POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR The part CMT07N60 is manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation).  

Key specifications:  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS)**: 600V  
- **Current Rating (I_D)**: 7A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Package**: TO-220F (isolated tab)  
- **R_DS(on)**: 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  

Additional features:  
- Fast switching performance  
- Low gate charge  
- Avalanche energy specified  

(Note: Always verify datasheet details for exact application requirements.)

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR The CMT07N60 is a power MOSFET manufactured by CMT (Champion Microelectronic). Here are its key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 28A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min) to 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 700pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 120pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 50ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 30ns (typ)  
- **Package**: TO-220F  

These specifications are based on typical operating conditions at 25°C unless otherwise noted.