- **Type**: N-Channel
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 2A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 8A
- **Power Dissipation (P_D)**: 35W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 5.5Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 150pF (typical)
- **Package**: TO-252 (DPAK)

These specifications are based on standard operating conditions. Always refer to the manufacturer's datasheet for precise details.

The **CMT02N60** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching applications in various electronic circuits. With a drain-source voltage (V_DS) rating of 600V and a continuous drain current (I_D) of up to 2A, this component is suitable for medium-power applications such as power supplies, motor control, and inverters.  

Featuring low on-state resistance (R_DS(on)), the CMT02N60 minimizes conduction losses, enhancing energy efficiency in power conversion systems. Its fast switching characteristics make it ideal for high-frequency operations, while the robust design ensures reliable performance under demanding conditions.  

The MOSFET is housed in a TO-252 (DPAK) package, offering a compact footprint and effective thermal dissipation. This makes it well-suited for space-constrained designs where heat management is critical. Additionally, the device incorporates built-in protection features, including a high avalanche energy rating, improving durability in transient voltage scenarios.  

Engineers and designers often choose the CMT02N60 for its balance of performance, efficiency, and cost-effectiveness. Whether used in industrial, automotive, or consumer electronics, this component provides a dependable solution for power management and switching applications.