Schottky barrier diode The part **CMS14** manufactured by **TOSHIBA** is a **Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor**. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon  
- **Structure**: Epitaxial Planar  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **Junction Temperature (T_j)**: 125°C  
- **Transition Frequency (f_T)**: 200MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 320 (depending on conditions)  
- **Package**: TO-92  

This transistor is commonly used in **amplification and switching applications**.