ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS The CMLT3906E is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Central Semiconductor Corp**. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP BJT  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -200mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz (typical)  
- **Package**: SOT-23 (Surface Mount)  

These are the manufacturer-provided specifications for the CMLT3906E.