860 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier The CGD914 is a power MOSFET manufactured by PHIL (Philips Semiconductors). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 12A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 48A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 40W  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
7. **On-State Resistance (R_DS(on))**: 0.14Ω (max) at V_GS = 10V  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)  
10. **Package**: TO-220  

These are the factual specifications for the CGD914 MOSFET as provided by PHIL.

860 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier The CGD914 is a part manufactured by PHILIPS. However, specific technical specifications or details about this part are not provided in the current knowledge base. For accurate information, it is recommended to refer to official PHILIPS documentation or datasheets.