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CFY35-20 from TRIQUINT

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CFY35-20

Manufacturer: TRIQUINT

GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CFY35-20,CFY3520 TRIQUINT 1835 In Stock

Description and Introduction

GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) The **CFY35-20** is a high-performance electronic component commonly used in power supply and voltage regulation applications. Designed for efficiency and reliability, this device is well-suited for industrial, automotive, and consumer electronics where stable power management is critical.  

Featuring robust construction, the CFY35-20 offers excellent thermal and electrical characteristics, ensuring consistent performance under varying load conditions. Its compact form factor makes it ideal for space-constrained designs while maintaining high power-handling capabilities.  

Engineers often select the CFY35-20 for its low power dissipation and fast response time, which contribute to improved system efficiency. Additionally, its high surge current tolerance enhances durability in demanding environments.  

Common applications include switch-mode power supplies (SMPS), inverters, and motor control circuits. The component’s compatibility with automated assembly processes further simplifies integration into modern electronic systems.  

With a focus on reliability and performance, the CFY35-20 remains a preferred choice for designers seeking a dependable solution for power conversion and regulation tasks. Its technical specifications align with industry standards, ensuring seamless adoption in a wide range of electronic designs.

Application Scenarios & Design Considerations

GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) # CFY3520 Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CFY3520 is a high-performance GaAs pHEMT low-noise amplifier designed for demanding RF applications. Typical use cases include:

-  Receiver Front-End Systems : Primary amplification stage in wireless receivers where signal integrity is critical
-  Satellite Communication Systems : L-band and S-band satellite receivers requiring ultra-low noise figures
-  Test and Measurement Equipment : Signal analyzers, spectrum analyzers, and network analyzers requiring precise signal amplification
-  Military Communications : Secure communication systems operating in challenging electromagnetic environments
-  Cellular Infrastructure : Base station receivers in 4G/LTE and 5G networks

### Industry Applications
-  Aerospace & Defense : Radar systems, electronic warfare systems, and military radios
-  Telecommunications : Cellular base stations, microwave links, and point-to-point communication systems
-  Broadcast : Television and radio broadcast receivers
-  Scientific Instruments : Radio astronomy receivers and research equipment
-  IoT Infrastructure : High-performance wireless access points and gateways

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Exceptional Noise Performance : Typical noise figure of 0.5 dB at 2 GHz
-  High Gain : 18 dB typical gain across operating frequency range
-  Wide Bandwidth : Operates from 500 MHz to 6 GHz
-  High Linearity : +25 dBm typical output IP3
-  Robust Construction : Designed for harsh environmental conditions
-  Low Power Consumption : 65 mA typical supply current at +5V

 Limitations: 
-  Limited Power Handling : Maximum input power of +15 dBm
-  Temperature Sensitivity : Requires thermal management in high-temperature environments
-  Cost Considerations : Higher cost compared to silicon-based alternatives
-  ESD Sensitivity : Requires proper ESD protection during handling and installation

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Improper Bias Sequencing 
-  Problem : Applying RF signal before DC bias can damage the device
-  Solution : Implement proper power sequencing with RF switches or relays

 Pitfall 2: Inadequate Thermal Management 
-  Problem : Performance degradation at elevated temperatures
-  Solution : Use thermal vias, heat sinks, and ensure proper airflow

 Pitfall 3: Poor Input/Output Matching 
-  Problem : Suboptimal noise figure and gain performance
-  Solution : Implement precise matching networks using simulation tools

 Pitfall 4: Grounding Issues 
-  Problem : Oscillations and instability due to poor grounding
-  Solution : Use multiple ground vias and ensure low-impedance ground paths

### Compatibility Issues with Other Components

 Mixers and Downconverters: 
- Ensure proper interface matching to prevent signal reflections
- Consider LO leakage when cascading with mixers

 Filters: 
- Account for insertion loss when placing filters before the amplifier
- Ensure filter impedance matches amplifier requirements

 Power Supplies: 
- Requires clean, low-noise DC power supply
- Implement proper decoupling to prevent supply noise injection

 Digital Control Circuits: 
- Maintain adequate separation from digital switching noise
- Use proper shielding and filtering for control lines

### PCB Layout Recommendations

 General Layout Guidelines: 
- Use Rogers RO4003C or similar high-frequency substrate material
- Maintain 50-ohm characteristic impedance for all RF traces
- Keep RF traces as short and direct as possible

 Grounding Strategy: 
- Implement continuous ground plane on adjacent layer
- Use multiple ground vias around the device (minimum 4 vias per ground pad)
- Ensure ground vias are placed close to the device pins

 Power Supply Decoupling: 
- Place 100 pF, 1000 pF,

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
CFY35-20,CFY3520 ON 78000 In Stock

Description and Introduction

GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) The part CFY35-20 is manufactured by ON Semiconductor. Below are the specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Part Number**: CFY35-20  
2. **Manufacturer**: ON Semiconductor  
3. **Type**: Schottky Diode  
4. **Voltage Rating (VRRM)**: 20V  
5. **Average Forward Current (IF(AV))**: 3.5A  
6. **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50A  
7. **Forward Voltage Drop (VF)**: 0.5V (typical at 3.5A)  
8. **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.5mA (typical at 20V)  
9. **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C  
10. **Package**: TO-220AB  

These are the confirmed specifications for the CFY35-20 diode from ON Semiconductor.

Application Scenarios & Design Considerations

GaAs FET (Low noise High gain For low-noise front end amplifiers For DBS down converters) # Technical Documentation: CFY3520 High-Frequency Inductor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The CFY3520 power inductor is primarily employed in  DC-DC converter circuits  where high efficiency and compact size are critical requirements. Typical implementations include:

-  Buck Converter Output Filtering : Serving as the main energy storage element in step-down voltage regulators
-  Boost Converter Energy Storage : Used in voltage step-up applications for portable devices
-  LC Filter Networks : Providing noise suppression in power supply lines
-  RF Impedance Matching : High-frequency circuit applications requiring stable inductance values

### Industry Applications
 Consumer Electronics 
- Smartphones and tablets for power management IC (PMIC) circuits
- Wearable devices where board space is extremely limited
- Laptop computers for CPU/GPU power delivery networks

 Telecommunications 
- Base station power supplies requiring high temperature stability
- Network equipment DC-DC conversion stages
- 5G infrastructure power conditioning circuits

 Automotive Electronics 
- Infotainment system power supplies
- Advanced driver assistance systems (ADAS)
- Electric vehicle battery management systems

 Industrial Equipment 
- PLC power modules
- Motor drive control circuits
- Industrial automation power supplies

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Saturation Current : Capable of handling significant current spikes without core saturation
-  Low DC Resistance : Typically <100mΩ, minimizing power losses and thermal generation
-  Excellent Self-Resonant Frequency : >50MHz operation suitable for modern switching regulators
-  Shielded Construction : Minimal electromagnetic interference (EMI) radiation
-  Thermal Stability : Maintains performance across -40°C to +125°C operating range

 Limitations: 
-  Limited Current Handling : Maximum 3.2A saturation current may restrict high-power applications
-  Size Constraints : 3.5mm × 3.2mm footprint may challenge ultra-compact designs
-  Cost Considerations : Higher price point compared to unshielded alternatives
-  Availability : May require longer lead times during component shortages

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Core Saturation Issues 
-  Problem : Exceeding Isat causes sudden inductance drop and regulator instability
-  Solution : Calculate peak current requirements with 20-30% margin, monitor temperature derating

 Thermal Management Challenges 
-  Problem : Excessive heating reduces efficiency and component lifespan
-  Solution : Implement adequate copper pours for heat dissipation, consider forced air cooling in high-ambient environments

 EMI Compliance Difficulties 
-  Problem : Radiated emissions exceeding regulatory limits
-  Solution : Utilize full shielding benefits, maintain proper grounding, implement additional filtering if necessary

### Compatibility Issues with Other Components

 Switching Regulator ICs 
- Ensure compatibility with regulator switching frequency (typically 500kHz to 3MHz)
- Verify controller current sensing method matches inductor DCR characteristics
- Check soft-start requirements to prevent initial current surges

 Input/Output Capacitors 
- Proper ESR matching crucial for optimal transient response
- Consider capacitor temperature coefficients for stability across operating range
- Ensure resonant frequency alignment between inductor and capacitor bank

 PCB Materials 
- FR4 standard substrates generally compatible
- High-frequency applications may require specialized low-loss dielectric materials
- Thermal expansion coefficient matching important for reliability

### PCB Layout Recommendations

 Placement Strategy 
- Position inductor as close as possible to switching regulator IC
- Maintain minimum distance between inductor and input/output capacitors
- Avoid placement near sensitive analog or RF circuits

 Routing Guidelines 
- Use wide, short traces for high-current paths (minimum 20 mil width for 2A+ currents)
- Implement ground planes for noise reduction and thermal management
- Route feedback paths away from inductor magnetic fields

 Thermal Considerations 
-

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