Excel Technology - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The CEP85N75 is a power MOSFET manufactured by CET (China Electronics Technology Group Corporation). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 85A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 340A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 8.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 5200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 1200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 300pF (typ)  
- **Package**: TO-247  

These are the verified specifications for the CEP85N75 MOSFET from CET.