Excel Technology - N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor The CEF13N5 is a power MOSFET manufactured by CET (Central Semiconductor). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 52A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 20ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typ)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f)**: 50ns (typ)  
- **Package**: TO-220F (Fully Insulated)  

This information is based on CET's datasheet for the CEF13N5 MOSFET.