NPN/PNP Transistor Array, High Voltage, Enhanced Icbo, Iceo and Vce(sat) The part **CA3096A** is a **monolithic NPN transistor array** manufactured by **Harris Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Configuration:** Five NPN transistors on a single chip  
- **Transistor Type:** General-purpose, high-voltage  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 15V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 10mA (per transistor)  
- **Power Dissipation (P_D):** 500mW (total for all five transistors)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Package:** 14-pin DIP (Dual In-line Package)  

### **Applications:**  
- Signal switching  
- Analog multiplexing  
- Voltage regulation  
- Driver circuits  

This information is based on the original Harris Semiconductor datasheet for the **CA3096A**.