Ultra-fast low-capacitance matched diodes. Part number **CA3019** is a transistor array manufactured by **RCA**. It consists of four NPN silicon transistors in a single package, designed for general-purpose amplifier and switching applications.  

### **Key Specifications (RCA CA3019):**  
- **Configuration:** Four independent NPN transistors  
- **Material:** Silicon  
- **Package Type:** TO-116 (metal can) or equivalent  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C) per Transistor:** 50mA  
- **Power Dissipation (P_D) per Transistor:** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 120 (varies by transistor)  
- **Transition Frequency (f_T):** ~100MHz (typical)  

### **Applications:**  
- Analog signal processing  
- Low-noise amplifiers  
- Switching circuits  
- Multi-stage amplifiers  

This information is based on RCA's original datasheet for the **CA3019** transistor array.

Ultra-fast low-capacitance matched diodes. The part CA3019 is manufactured by HARRIS. It is a monolithic integrated circuit that contains four silicon NPN transistors in a single package. The transistors are designed for use in amplifier and switching applications. The part operates within a temperature range of -55°C to +125°C. Key specifications include a maximum collector-emitter voltage (VCEO) of 30V, a maximum collector current (IC) of 50mA per transistor, and a maximum power dissipation (PD) of 500mW for the entire package. The transistors have a typical DC current gain (hFE) ranging from 20 to 120, depending on operating conditions. The package type is a 14-pin dual in-line package (DIP). The part is suitable for general-purpose applications in industrial and military environments.