High-Voltage Switching Applications The part C3332 is manufactured by Toshiba. It is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for low-frequency power amplification.  

**Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 3A  
- **Collector Dissipation (PC):** 30W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 to 320 (at IC = 1A, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 3MHz (min)  

**Package:** TO-220 (isolated type)  

These are the factual specifications provided by Toshiba for the C3332 transistor.