Schottky Barrier Diode The part C30T04QH is a power MOSFET transistor. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: STMicroelectronics  
- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 98A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 390A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Package**: TO-247  

These are the verified specifications for the C30T04QH MOSFET.

Schottky Barrier Diode The part C30T04QH is manufactured by NIEC (Nippon International Electronics Corporation). Below are the specifications based on the available knowledge:

1. **Type**: N-Channel Power MOSFET  
2. **Voltage Rating (VDS)**: 30V  
3. **Current Rating (ID)**: 40A  
4. **Power Dissipation (PD)**: 50W  
5. **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
6. **On-Resistance (RDS(on))**: 4.5mΩ (typical) at VGS = 10V  
7. **Package**: TO-220  

These are the key technical specifications for the C30T04QH MOSFET as provided by NIEC. Let me know if you need further details.