Schottky Barrier Diode The part C20T10Q is manufactured by NIEC (Nippon International Electronics Corporation). Below are the specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 100V  
- **Collector Current (I_C)**: 20A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 35-100  
- **Transition Frequency (f_T)**: 4MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the confirmed specifications for the C20T10Q transistor as provided by NIEC.