RF TRANSFORMER For Wideband RF Applications The part C2073A is a transistor manufactured by TOSHIBA. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Usage**: Designed for high-frequency amplification and switching applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 1.5A  
- **Collector Dissipation (PC)**: 25W  
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40 to 320 (depending on conditions)  
- **Transition Frequency (fT)**: 4MHz (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the C2073A transistor.