NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW The BC546C is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by FSC (Fairchild Semiconductor Corporation). Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN BJT  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 420–800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on FSC's datasheet for the BC546C transistor.

NPN Silicon Amplifier Transistor 625mW The BC546C is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Philips (PH). Here are its key specifications:

1. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
2. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
3. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
4. **Collector Current (I_C)**: 100mA  
5. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
6. **DC Current Gain (h_FE)**: 420–800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
7. **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
8. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
9. **Package**: TO-92  

These specifications are based on Philips' datasheet for the BC546C transistor.