0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC546B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple companies, including Fairchild Semiconductor (FSC). Below are the key specifications for the BC546B as provided by FSC:

1. **Type**: NPN BJT  
2. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
3. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
4. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
5. **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
6. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
7. **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
8. **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz (typical)  
9. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
10. **Package**: TO-92  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC546B transistor.

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC546B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_D)**: 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on KEC's datasheet for the BC546B transistor.

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC546B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Philips (PH). Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN  
2. **Material**: Silicon (Si)  
3. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
4. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 200-450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
11. **Package**: TO-92  

These specifications are based on Philips' datasheet for the BC546B.

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 200 The BC546B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including ON Semiconductor, STMicroelectronics, and Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:  

- **Transistor Type**: NPN  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the specific datasheet for precise details.