0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC546A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics (ST) and Philips (PHI).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Package:** TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 110–800 (varies by grading: BC546A has a gain range of 110–220)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  

### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

### **Alternate Part Numbers:**  
- BC547A, BC548A (similar with different voltage ratings)  

### **Manufacturers:**  
- STMicroelectronics (ST)  
- Philips (PHI) (now NXP Semiconductors)  

The data is based on the official datasheets from ST and Philips.

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC546A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including ON Semiconductor, NXP, and STMicroelectronics. Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN transistor  
2. **Package**: TO-92  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800 (varies by manufacturer)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are typical and may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC546A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Philips (PH). Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 65V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 6V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on Philips' (PH) datasheet for the BC546A transistor.

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC546A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Philips (now NXP Semiconductors).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 65 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 80 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6 V  
- **Collector Current (I_C):** 100 mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 500 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 110 - 800 (varies by suffix: A, B, C)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

The BC546A is part of the BC546 series, with variants (A, B, C) differing in current gain (h_FE).

0.500W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 65V Vceo, 0.100A Ic, 110 The BC546A is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including Fairchild Semiconductor (FSC).  

### **FSC (Fairchild Semiconductor) Specifications for BC546A:**  
- **Type:** NPN BJT (Bipolar Junction Transistor)  
- **Package:** TO-92 (Plastic Encapsulation)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 80V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 65V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 500mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 110–800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC546A transistor. Other manufacturers may have slight variations in performance parameters.