PNP Darlington transistor The BC516 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by NSC (National Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Type:** PNP
- **Material:** Silicon epitaxial planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -0.5A
- **Total Power Dissipation (Ptot):** 0.625W
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C
- **DC Current Gain (hFE):** 30 to 120 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (min)
- **Package:** TO-92

These specifications are based on standard operating conditions unless otherwise noted.

PNP Darlington transistor The BC516 is a PNP transistor manufactured by PH (Philips). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon (Si)
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -1A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 30 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These are the factual specifications for the BC516 transistor from PH.

PNP Darlington transistor The BC516 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple companies, including ON Semiconductor.  

### **FSC (Federal Supply Code) Specifications:**  
- **FSCM (Federal Supply Class Manager):** 5961 (Semiconductor Devices and Associated Hardware)  
- **Part Number:** BC516  
- **Description:** PNP Transistor  
- **Manufacturer:** Various (e.g., ON Semiconductor, STMicroelectronics)  
- **Standardized Under:** MIL-PRF-19500 (if applicable for military-grade versions)  

For exact FSC details, consult the **Defense Logistics Agency (DLA)** or official procurement documentation.

PNP Darlington transistor The BC516 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are the key FAI (First Article Inspection) specifications from the datasheet:

1. **Type**: PNP BJT  
2. **Package**: TO-92  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -30V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
6. **Collector Current (IC)**: -0.1A  
7. **Power Dissipation (PD)**: 0.625W  
8. **DC Current Gain (hFE)**: 100–600 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
9. **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typ)  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These are the primary electrical and mechanical specifications for verification during FAI. Always refer to the latest datasheet for exact testing conditions.