0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 100 The BC338 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by various semiconductor companies, including Philips (PH). Below are the key specifications for the BC338 from Philips (PH):

1. **Polarity**: NPN  
2. **Package**: TO-92  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
6. **Collector Current (I_C)**: 800mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 630 (depending on the variant)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BC338 is commonly used in amplification and switching applications. Variants may include BC338-16, BC338-25, and BC338-40, which differ in their h_FE ranges.  

For exact datasheet details, refer to the official Philips (PH) documentation.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 100 The BC338 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 800mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE)**: Typically 100–630 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BC338 transistor.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 100 The BC338 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **NS (National Semiconductor)**. Below are its key specifications:  

- **Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 800mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–630 (varies by suffix)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

Suffixes (e.g., BC338-16, BC338-25, BC338-40) indicate different h_FE groupings.  

No additional recommendations or interpretations are provided.

0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 100 The BC338 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). Here are the factual specifications from the manufacturer (Fairchild Semiconductor - FSC):  

- **Manufacturer**: Fairchild Semiconductor (FSC)  
- **Type**: NPN Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: 800mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100–630 (at IC = 100mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These are the key specifications provided by Fairchild Semiconductor for the BC338 transistor.