Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC328-16 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **PH (Philips)**. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5V  
- **Collector Current (IC)**: -0.8A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100-250 (at IC = -150mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (min)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on the original Philips datasheet.

Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC328-16 is a PNP bipolar junction transistor (BJT). Here are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -800mA (max)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–250 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 260MHz (typical)  
- **Package**: TO-92  

These values are based on standard datasheet specifications. For precise applications, always refer to the manufacturer's official datasheet.

Si-Epitaxial PlanarTransistors The BC328-16 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **MOTO** (Motorola). Below are its key specifications:

- **Type**: PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V  
- **Collector Current (I_C)**: -800mA (max)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 630 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-92  

These specifications are based on Motorola's datasheet for the BC328-16 transistor.