1.000W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 120 The BC308A is a PNP bipolar junction transistor (BJT). Below are the FSC (Federal Supply Code) specifications for the BC308A transistor:  

- **Manufacturer Part Number:** BC308A  
- **FSC (Federal Supply Code):** 5961 (Semiconductor Devices and Associated Hardware)  
- **Description:** PNP Silicon Transistor  
- **Package Type:** TO-18 (Metal Can)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 450  

These specifications are based on the standard military/industrial-grade BC308A transistor under FSC 5961.

1.000W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 120 The BC308A is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP
- **Material**: Silicon
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -25V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -100mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz (minimum)
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100–600 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C
- **Package**: TO-18 metal can

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC308A transistor.

1.000W General Purpose PNP Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 120 The BC308A is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by NS (National Semiconductor).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Material:** Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Gain Bandwidth Product:** 150MHz (typical)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 800 (depending on operating conditions)  
- **Package:** TO-92  

This transistor is commonly used in low-power amplification and switching applications.