N-CHANNEL SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS The part BC264A is manufactured by Philips. According to the available specifications:

- **Type**: Bipolar transistor (PNP)
- **Material**: Silicon (Si)
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 100mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz
- **Gain Bandwidth Product (h_FE)**: 200-800
- **Package**: TO-18 metal can

These are the key specifications for the BC264A transistor from Philips.

N-CHANNEL SILICON FIELD-EFFECT TRANSISTORS The part BC264A is manufactured by PH (Philips). Here are the specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 30V  
- **Collector Current (Ic)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Pd)**: 300mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 100-600  
- **Transition Frequency (ft)**: 250MHz  

These are the factual details available for the BC264A transistor.