0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 380 The BC238C is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon (Si)
- **Package**: TO-92
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 100mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 420–800 (varies by batch)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the BC238C transistor. For precise values, refer to the manufacturer's datasheet.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.100A Ic, 380 The BC238C is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Motorola (MOTO). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–800 (varies by operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

The BC238C is commonly used in low-power amplification and switching applications.  

(Note: Motorola's semiconductor division later became ON Semiconductor.)