0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 120 The BC237 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly used in amplification and switching applications. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 125–800 (varies by suffix)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BC237 is available in different gain groupings (e.g., BC237A, BC237B, BC237C), with higher suffixes indicating higher h_FE ranges.  

For exact values, refer to the manufacturer's datasheet.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 120 The BC237 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN transistor  
- **Package**: TO-92  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 625mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 125 to 600 (depending on variant)  
- **Transition Frequency (fT)**: 100MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on PHILIPS' datasheet for the BC237 transistor.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 120 The BC237 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN  
2. **Package**: TO-92  
3. **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 50V  
4. **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 45V  
5. **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 6V  
6. **Collector Current (IC)**: 100mA  
7. **Power Dissipation (Ptot)**: 625mW  
8. **Transition Frequency (fT)**: 100MHz (minimum)  
9. **DC Current Gain (hFE)**:  
   - BC237A: 120–220  
   - BC237B: 200–450  
   - BC237C: 420–800  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

These specifications are based on KEC's datasheet for the BC237 transistor.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 45V Vceo, 0.100A Ic, 120 The BC237 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN  
2. **Package**: TO-92  
3. **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
4. **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 50V  
5. **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
6. **Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 125–800 (depending on variant)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz  
10. **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

The BC237 is commonly used in amplification and switching applications. Variants include BC237A, BC237B, and BC237C, differing in h_FE ranges.  

(Source: Fairchild Semiconductor datasheet)