- **Type:** PNP silicon transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -30V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V
- **Collector Current (I_C):** -100mA
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 800 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (min)
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +200°C
- **Package:** TO-92

These specifications are based on Motorola's datasheet for the BC214RL1 transistor.