PNP General Purpose Amplifier The BC213L is a PNP silicon transistor. Here are its key specifications:

- **Type:** PNP silicon transistor
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -30V
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V
- **Collector Current (IC):** -500mA
- **Power Dissipation (PD):** 625mW
- **DC Current Gain (hFE):** 100-600 (depending on operating conditions)
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are based on standard datasheet values for the BC213L transistor.

PNP General Purpose Amplifier The part BC213L is manufactured by FSC (Federal Stock Code). Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer:** FSC (Federal Stock Code)  
- **Part Number:** BC213L  
- **Description:** Not explicitly detailed in Ic-phoenix technical data files.  
- **Additional Notes:** No further technical or application-specific details are provided.  

For exact specifications, refer to official FSC documentation or datasheets.

PNP General Purpose Amplifier The BC213L is a PNP silicon transistor manufactured by Philips. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP silicon transistor
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5V
- **Collector Current (I_C)**: -500mA
- **Power Dissipation (P_tot)**: 625mW
- **Transition Frequency (f_T)**: 100MHz
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40–250 (at I_C = -150mA, V_CE = -1V)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Philips' datasheet for the BC213L transistor.