0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 100 The BC184LC is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by National Semiconductor Corporation (NSC).  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** NPN  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–800 (varies by batch)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Noise Figure (NF):** Low (suitable for small-signal amplification)  
- **Package:** TO-92  

### **Applications:**  
- Low-noise amplification  
- Small-signal switching  
- RF applications  

The BC184LC is part of the BC184 series, with the "LC" suffix indicating specific manufacturing or performance characteristics.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 100 The BC184LC is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V
- **Collector Current (I_C)**: 100mA
- **Power Dissipation (P_D)**: 300mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 200–800 (varies with conditions)
- **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Package**: TO-92

These specifications are based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC184LC transistor.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 100 The BC184LC is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). The manufacturer, FSC (Fairchild Semiconductor Corporation), specifies the following key details for the BC184LC:

1. **Package**: TO-92  
2. **Polarity**: NPN  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 30V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
6. **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 120 to 800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 300MHz (typical)  

These specifications are based on FSC's datasheet for the BC184LC.

0.350W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 30V Vceo, 0.100A Ic, 100 The BC184LC is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **NS (NXP Semiconductors, formerly Philips Semiconductors)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Package:** TO-92 (plastic through-hole)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–800 (varies by grade)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Noise Figure:** Low (suitable for RF and small-signal amplification)  

### **Applications:**  
- Low-noise amplification  
- RF and audio signal processing  
- Switching circuits  

This information is based on the original datasheet from **NXP/Philips**.