0.600W General Purpose PNP Metal Can Transistor. 45V Vceo, 0.200A Ic, 120 The BC177 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **MOT** (Motorola).  

### **Key Specifications (MOT BC177):**  
- **Type:** PNP  
- **Material:** Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 125–900 (depending on grade)  
- **Package:** TO-18 (metal can)  

These specifications are based on Motorola's datasheet for the BC177 transistor.

0.600W General Purpose PNP Metal Can Transistor. 45V Vceo, 0.200A Ic, 120 The BC177 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor (ON/ST).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -100mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 300mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 125–800 (varies by grade)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Package:** TO-18 (metal can)  

**Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  

For exact datasheet details, refer to ON Semiconductor's official documentation.