Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BC109C is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **MOT** (Motorola). Below are the key specifications from the manufacturer:  

### **Electrical Characteristics (MOT BC109C):**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 200mA (max)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 420–800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Noise Figure (NF):** 4dB (typical at 1kHz, I_C = 100μA, V_CE = 5V)  

### **Package:**  
- **TO-18** (Metal Can)  

### **Applications:**  
- Low-noise amplification  
- General-purpose switching and amplification  

This information is based on Motorola's datasheet for the BC109C transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BC109C is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Semiconductor Industry (SI)**. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon (Si)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 420–800 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-18 metal can  

These specifications are standard for the BC109C transistor from SI.