0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 200 The BC109 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Philips (PHI). Here are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 25V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800 (depending on variant: BC109A, BC109B, BC109C)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-18 metal can  

The BC109 is commonly used in low-noise amplification and switching applications.

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 200 The BC109 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by CDIL (Continental Device India Limited). Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN  
2. **Package**: TO-18 (Metal Can)  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
6. **Maximum Collector Current (I_C)**: 200mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
8. **DC Current Gain (h_FE)**: 100 to 450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
9. **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz (typical)  
10. **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on CDIL's datasheet for the BC109 transistor.