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BC108 from ST,ST Microelectronics

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BC108

Manufacturer: ST

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BC108 ST 100000 In Stock

Description and Introduction

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110 The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-18 (Metal Can)  
- **Collector-Base Voltage (VCB)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCE)**: 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEB)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110 to 800 (varies by grade)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BC108 transistor.

Application Scenarios & Design Considerations

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110# BC108 NPN General-Purpose Transistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly employed in:

 Amplification Circuits 
-  Audio pre-amplifiers : Low-noise characteristics make it suitable for microphone and line-level amplification stages
-  RF oscillators : Stable performance in frequency generation circuits up to 250MHz
-  Sensor interface circuits : High current gain (hFE) enables weak signal amplification from various sensors

 Switching Applications 
-  Relay drivers : Capable of switching currents up to 100mA
-  LED drivers : Efficient control of indicator lights and displays
-  Digital logic interfaces : Level shifting between different voltage domains

 Signal Processing 
-  Impedance matching : Buffer stages between high and low impedance circuits
-  Waveform shaping : Clipping, clamping, and filtering circuits

### Industry Applications
-  Consumer Electronics : Audio equipment, remote controls, and small appliances
-  Industrial Control : Sensor interfaces, indicator circuits, and relay control systems
-  Telecommunications : RF front-end circuits and signal conditioning
-  Automotive Electronics : Non-critical control circuits and sensor interfaces
-  Educational Kits : Breadboard prototyping and electronics learning platforms

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High current gain : Typical hFE of 110-800 provides excellent signal amplification
-  Low noise : Suitable for sensitive analog applications
-  Wide availability : Industry-standard component with multiple sources
-  Cost-effective : Economical solution for general-purpose applications
-  Robust construction : TO-18 metal can package offers good thermal characteristics

 Limitations: 
-  Limited power handling : Maximum collector current of 100mA restricts high-power applications
-  Frequency constraints : fT of 250MHz may be insufficient for modern high-frequency designs
-  Temperature sensitivity : Requires thermal considerations in precision applications
-  Older technology : May be superseded by modern alternatives in new designs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management 
-  Pitfall : Overheating due to inadequate heat sinking in continuous operation
-  Solution : Calculate power dissipation (Pc = Vce × Ic) and ensure operation within safe operating area (SOA)
-  Implementation : Use thermal compound and consider small heat sinks for currents above 50mA

 Biasing Stability 
-  Pitfall : Operating point drift due to temperature variations and hFE spread
-  Solution : Implement emitter degeneration and voltage divider biasing
-  Implementation : Include emitter resistor (Re) for negative feedback stabilization

 Saturation Concerns 
-  Pitfall : Incomplete saturation in switching applications leading to excessive power dissipation
-  Solution : Ensure adequate base current (Ib > Ic/hFE) for proper saturation
-  Implementation : Calculate base resistor for Ib = (1.5-2) × Ic(min)/hFE(min)

### Compatibility Issues with Other Components

 Voltage Level Matching 
- The BC108's maximum Vceo of 20V may require level shifting when interfacing with higher voltage systems
- Compatible with 5V and 12V logic systems but may need protection with 24V industrial systems

 Current Limitations 
- When driving inductive loads (relays, motors), always include flyback diodes
- For loads exceeding 100mA, use the BC108 to drive higher-current transistors or MOSFETs

 Frequency Response 
- In RF applications, ensure matching networks are optimized for the BC108's input/output capacitance
- Avoid using with very high-speed digital circuits (>50MHz) without proper analysis

### PCB Layout Recommendations

 General Layout Guidelines 
- Keep input and output traces separated to prevent feedback and oscillation
- Place dec

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BC108 3 In Stock

Description and Introduction

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110 The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). Below are its key manufacturer specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCB)**: 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCE)**: 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEB)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110–800 (varies by variant: BC108A, BC108B, BC108C)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz (minimum)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C  

The BC108 is commonly used in low-power amplification and switching applications.

Application Scenarios & Design Considerations

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110# BC108 NPN Bipolar Junction Transistor Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor commonly employed in:

 Amplification Circuits 
-  Audio pre-amplifiers : Low-noise amplification for microphone and line-level signals
-  RF amplifiers : Small-signal amplification in radio frequency applications up to 250MHz
-  Sensor interface circuits : Signal conditioning for temperature, light, and pressure sensors
-  Impedance matching : Buffer stages between high-impedance sources and low-impedance loads

 Switching Applications 
-  Digital logic interfaces : Level shifting between different voltage domains
-  Relay and solenoid drivers : Controlling higher current loads from microcontroller outputs
-  LED drivers : Constant current sources for indicator lights and displays
-  Power management : Low-side switching in DC-DC converters

 Oscillator Circuits 
-  LC tank oscillators : RF signal generation in communication systems
-  Crystal oscillators : Frequency reference circuits
-  Multivibrators : Square wave generation for timing applications

### Industry Applications

 Consumer Electronics 
- Television and radio receivers
- Audio equipment and musical instruments
- Remote control systems
- Portable electronic devices

 Industrial Control Systems 
- Process control instrumentation
- Motor control circuits
- Safety interlock systems
- Measurement equipment

 Telecommunications 
- Two-way radio systems
- Telephone equipment
- Data transmission interfaces
- Signal conditioning modules

 Automotive Electronics 
- Sensor signal conditioning
- Lighting control systems
- Entertainment systems
- Basic control modules

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages 
-  Low noise figure : Excellent for audio and sensitive measurement applications
-  High current gain (hFE) : Typically 110-800, reducing drive current requirements
-  Good frequency response : ft = 250MHz minimum, suitable for RF applications
-  Wide availability : Cost-effective and readily sourced from multiple manufacturers
-  Robust construction : TO-18 metal package provides good thermal characteristics

 Limitations 
-  Moderate power handling : Maximum 300mW power dissipation
-  Limited current capacity : IC(max) = 100mA restricts high-current applications
-  Voltage constraints : VCEO(max) = 20V limits high-voltage circuit designs
-  Temperature sensitivity : Requires thermal considerations in power applications
-  Aging characteristics : Parameter drift over time in critical applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management 
-  Pitfall : Exceeding maximum junction temperature (Tj = 150°C) due to inadequate heatsinking
-  Solution : Calculate power dissipation (P = VCE × IC) and ensure proper thermal design
-  Implementation : Use copper pour on PCB, consider small heatsinks for power >100mW

 Stability Issues 
-  Pitfall : Oscillation in high-frequency amplifier circuits
-  Solution : Implement proper decoupling and stability networks
-  Implementation : Add base-stopper resistors (10-100Ω) and RF decoupling capacitors

 Biasing Problems 
-  Pitfall : Thermal runaway in Class A amplifiers
-  Solution : Use emitter degeneration and temperature compensation
-  Implementation : Include emitter resistor (RE) and temperature-stable bias networks

 Saturation Concerns 
-  Pitfall : Incomplete saturation in switching applications causing excessive power dissipation
-  Solution : Ensure adequate base drive current (IB > IC/hFE)
-  Implementation : Calculate base resistor for IB = (2-3) × IC(min)/hFE(min)

### Compatibility Issues with Other Components

 Digital Interface Compatibility 
-  Microcontroller outputs : Most 3.3V/5V microcontroller GPIO pins can directly drive BC108
-  CMOS logic

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BC108 ON/ST 1000 In Stock

Description and Introduction

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110 The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor (ON/ST). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-18 (metal can)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110 to 800 (varies by suffix: A, B, or C)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on standard datasheet values. For precise details, refer to the official ON Semiconductor documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110# BC108 NPN General-Purpose Transistor Technical Documentation

*Manufacturer: ON Semiconductor / STMicroelectronics*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) commonly employed in:

 Amplification Circuits 
-  Audio pre-amplifiers : Low-noise amplification for microphone and line-level signals
-  RF amplifiers : Suitable for low-frequency radio applications up to 250MHz
-  Sensor signal conditioning : Amplifying weak signals from thermocouples, photodiodes, and strain gauges
-  Impedance matching : Buffer stages between high-impedance sources and low-impedance loads

 Switching Applications 
-  Relay drivers : Controlling coils up to 100mA with proper base current
-  LED drivers : Constant current sources for indicator LEDs
-  Digital logic interfaces : Level shifting between TTL/CMOS and higher voltage systems
-  Motor control : Small DC motor switching in robotics and automation

 Oscillator Circuits 
-  LC tank oscillators : RF oscillators for local oscillators in receivers
-  Crystal oscillators : Pierce and Colpitts configurations
-  Multivibrators : Astable and monostable timing circuits

### Industry Applications

 Consumer Electronics 
- Audio equipment: Preamplifiers, tone control circuits
- Remote controls: IR transmitter drivers
- Power supplies: Error amplifiers in linear regulators

 Industrial Control 
- Process control: Signal conditioning for 4-20mA loops
- Sensor interfaces: Temperature, pressure, and flow monitoring
- Safety systems: Monitoring circuit status indicators

 Telecommunications 
- RF front ends: Local oscillators and mixer circuits
- Modem circuits: Line drivers and receivers
- Telephone systems: Ring detection and line interface circuits

 Test and Measurement 
- Instrumentation amplifiers: Low-level signal processing
- Probe circuits: High-impedance input buffers
- Calibration sources: Reference signal generators

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages 
-  Low noise figure : Typically 2-10dB, ideal for sensitive analog circuits
-  High current gain : hFE of 110-800 provides good amplification
-  Wide voltage range : VCEO of 20V accommodates various supply rails
-  Cost-effective : Economical solution for general-purpose applications
-  Proven reliability : Decades of field performance data available

 Limitations 
-  Power handling : Maximum 300mW dissipation limits high-power applications
-  Frequency response : fT of 250MHz restricts use in UHF/VHF systems
-  Thermal stability : Requires derating above 25°C ambient temperature
-  Current capacity : IC(max) of 100mA insufficient for motor drivers >1W

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management 
-  Pitfall : Exceeding maximum junction temperature (150°C) due to inadequate heatsinking
-  Solution : Calculate power dissipation (P_D = V_CE × I_C) and ensure adequate copper area on PCB
-  Implementation : Use 1-2 square inches of copper pour for TO-92 package

 Biasing Stability 
-  Pitfall : Operating point drift due to temperature variations and hFE spread
-  Solution : Implement emitter degeneration (R_E ≥ 100Ω) and voltage divider biasing
-  Implementation : Select base resistors to provide 10% of collector current as base current

 Frequency Response Limitations 
-  Pitfall : Unexpected roll-off above 10MHz due to stray capacitance
-  Solution : Minimize Miller capacitance effects with proper layout and compensation
-  Implementation : Keep collector load resistance ≤ 1kΩ for wide bandwidth

### Compatibility Issues

 Digital Interface Concerns 

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