0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110 The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-18 (Metal Can)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110 to 800 (varies by grade)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BC108 transistor.

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110 The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT). Below are its key manufacturer specifications:  

- **Type**: NPN  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 25V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110–800 (varies by variant: BC108A, BC108B, BC108C)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz (minimum)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C  

The BC108 is commonly used in low-power amplification and switching applications.

0.600W General Purpose NPN Metal Can Transistor. 25V Vceo, 0.200A Ic, 110 The BC108 is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor (ON/ST). Below are its key specifications:

- **Type**: NPN  
- **Package**: TO-18 (metal can)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V  
- **Collector Current (IC)**: 100mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 300mW  
- **DC Current Gain (hFE)**: 110 to 800 (varies by suffix: A, B, or C)  
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on standard datasheet values. For precise details, refer to the official ON Semiconductor documentation.